1. ENMX06 고이송용 밀링 인서트 TEST
1) 사용 장비.
* 두산 DNM 4500 [ 4.5호기, 450X800, MAX PRM 12,000 ]
2) 적용 인서트 및 홀더.
* 적용 인서트 : ENMX0604 TR YG713
* 적용 홀더 : 21파이 / 3F / 전장 150mm
3) 가공물
* 기계 장비 부품.
4) 가공 소재.
* S45C
5) 척, 콜렛
* BT40 / 밀링척
6) RPM
* 2,200
7) FEED
* 2,000
8) 절입량
* Ae(X-Y축 측면 절입) : 21mm
* Ap(Z 축 측면 절입) : 0.5mm
9) 가공 방식
* 헬리컬 램핑가공 / 가공 반경 60파이 / 헬리컬 램핑각도 : 3도 / 총 가공 깊이 : 36mm
10) 참고 내용
가. 21파이로 60파이의 가장자리를 가공하고 난 후 엔드밀로 마무리 가공을 진행하여 떼어냄.
나. YG-1 'ENMX06'나 T사의 'BLMP06' 같은 경우 위의 사진에서 빨간색으로 표시된 부분이 램핑 가공이나 헬리컬 램핑 가공 등 가공 깊이가 깊어질수록 칩배출이 잘 안 되어 칩에 의한 문제가 발생할 수 있음.
다. 해당 업체에선 원활한 칩배출을 위해 13파이 드릴로 홀 가공 후 ENMX06으로 헬리컬 램핑 가공을 진행.
라. 13파이 홀로 인해 단속 구간이 발생하지만, 가공 깊이가 깊어질수록 칩배출 공간이 확보되어 칩에 의한 문제를 최소화할 수 있음.
11) 업체 의견.
가. 동일한 가공 조건에서 현재 적용 중인 T사 BLMP0603 R-M TT9080(21파이 / 3F / 전장 150mm 비메이커 홀더) 대비 동등한 성능을 보임.
나. 와이지원 APKT도 적용 중에 있으며, S45C 가공에 YG713 재종이 양호한 것 같음.
다. 가격 대비 성능 양호.
2. ENMX06 소개.
1) ENMX06 콘셉트.
* 형상 황삭 가공(고이송용)
* 인서트 1개당 4코너 적용.
2) ENMX06 홀더.
2) ENMX06 인서트.
3) 와이지원(YG-1) 밀링 인서트 칩브레이커 특징.
4) 와이지원(YG-1) 밀링 인서트 재종 특징.
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